Silicon-power

SO DDR4 8GB PC 2666 CL19 硅电源 (1x8GB) 价值
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Silicon-power
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2251 号 计算机
风格： RAM 内存 电脑
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物品编号21004335232101049662210095088721008316882101140147
从那以后就提供了30.10.202124.11.202327.07.202315.03.202327.03.2024
价格37,39 EUR155,39 EUR413,99 EUR190,19 EUR91,79 EUR
重量0.10kg0.17kg0.22kg0.16kg0.44kg
制造商Silicon-powerTeam GroupG.skillCorsairAdata
类别Hardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/ElectronicHardware/Electronic
内部存储器8 GB32 GB96 GB96 GB32 GB
内存布局（模块 x 大小）1 x 8 GB2 x 16 GB2 x 48 GB2 x 48 GB2 x 16 GB
内部存储器类型DDR4 DDR5 DDR5 DDR5 DDR4
内存时钟速度2666 MHz7200 MHz6400 MHz5200 MHz3600 MHz
的组件不otebook 个人电脑 个人电脑 个人电脑 个人电脑
CAS 延迟19 34 32 38 18
存储器电压1.2 V1.4 V1.35 V1.25 V1.35 V

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内容：

描述：
SILICON POWER-DDR4-模块-8 GB-SO DIMM 260 针-2666 MHz/PC4-21300-CL19-1.2 V-无缓冲-非 ECC 组 RAM 制造商硅电源制造商 SKU：SP008GBSFU266X02 型号 SILICON POWER EAN/UPC 4713436143956 产品描述：SILICON POWER-DDR4-模块-8 GB-SO DIMM 260 PIN-2666 MHz/PC4-4-PIN 21300-无缓冲产品类型内存模块容量 8 GB 内存类型 DDR4 SDRAM-SO DIMM 260-PIN 扩展类型通用数据完整性检查非 ECC 速度 2666 MHz (PC4-21300) 延迟 CL19 特性无缓冲电压 1.2 V 详细信息：通用容量 8 GB 扩展类型通用内存类型 DRAM 内存模块技术 DDR4 SDRAM 外形规格 SO DIMM 260 针速度 2666 MHz (PC4-21300) 延迟 CL19 数据完整性检查非 ECC 特殊功能无缓冲电压 1.2 V 其他标记 FCC、RoHS、WEEE、Green Dot、JEDEC
Manufacturer No.: SP008GBSFU266X02
产品安全

技术规格

功能

内部存储器8 GB
内存布局（模块 x 大小）1 x 8 GB
内部存储器类型DDR4
内存时钟速度2666 MHz
的组件不otebook
内存外形规格260-pin SO-DIMM
等等不
CAS 延迟19
存储器电压1.2 V

技术详细信息

可持续发展证书RoHS, WEEE

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